两款器件都采用意法半导体的250nm BiCMOS 制造技术，此项技术的高可靠性经过多年量产的消费性电子芯片和要求更严格的航天、汽车和医疗 设备芯片以及其他抗辐射产品（如模数转换器）的检验。
这两款器件具有多项优异性能，包括仅5 ppm （典型值）的温度系数，经由激光校对可达 +/- 0.15% 的精 确度，以及器件之间卓越的温度曲线匹配性；而宽达40μA至12mA的阴极电流范围，可确保在维持灵活性的同时保证精 确度和稳定性。
除优异的电气性能外，两款新产品还兼具同级最佳的抗电离总剂量 （TID， Total IonizaTIon Dose） 和单粒子效应 （SEE， Single Event Effect） 的抗辐射性能，无ELDRS 效应高达 300krad （在剂量率达到很高水平时，芯片的主要参数仍可保持稳定），完全不受单粒子闭锁效应 （Latch-up） 的影响 （在120 MeV.cm2/mg / 125°C下仍不发生单粒子闭锁效应），发生单粒子瞬变效应的概率极低 （截面SET Cross secTIon 《 3.10-4） 。辐射效应持续时间极短，且幅度很低。
